2025第三代功率半導(dǎo)體器件及應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)

時(shí)間：2025年11月20-22日

地點(diǎn)：廣州琶洲保利世貿(mào)博覽館

聯(lián)系方式：

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誠(chéng)邀貴單位隆重參展——APSME 2025

聚焦前沿技術(shù)突破   賦能產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新融合

※ 展會(huì)介紹

近年來(lái)，我國(guó)信息技術(shù)得到迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體作為其中的關(guān)鍵器件起著重要的作用。政策方面國(guó)家出臺(tái)了一系列相關(guān)政策旨在大力提升先進(jìn)計(jì)算、新型智能終端、超高清視頻、網(wǎng)絡(luò)安全等數(shù)字優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，積極推進(jìn)光電子、高端軟件等核心基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新突破，這大大提高了對(duì)半導(dǎo)體的需求，同時(shí)外部環(huán)境美國(guó)在芯片方面的制裁促使國(guó)家對(duì)芯片半導(dǎo)體的重視。種種原因使得中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)迅速，2022年中國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到111.79億元，同比增長(zhǎng)39.2%，2018年到2022年復(fù)合增長(zhǎng)率為43%，增長(zhǎng)速度驚人。其中2022年氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到62.58億元，碳化硅(SiC)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到43.45億元，其他化合物半導(dǎo)體為5.76億元。

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。伴隨半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸復(fù)蘇，以及電動(dòng)汽車、新能源等應(yīng)用市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)取得顯著進(jìn)步。在此背景下，由深圳新芯能展覽有限公司聯(lián)合粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟共同主辦的APSME 2025第三代半導(dǎo)體器件及應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)，將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦，重點(diǎn)展示功率半導(dǎo)體(IGBT和MOSFET)SiC功率器件、GaN功率器件、GaN功率芯片、二極管、三極管濾波元件等，同時(shí)組委會(huì)邀請(qǐng)全球的新能源汽車、光伏、風(fēng)能、儲(chǔ)能、5G通信、衛(wèi)星通信、光通信、電力電子、智能電網(wǎng)等預(yù)計(jì)上萬(wàn)名專業(yè)觀眾歡聚一堂，參加展會(huì)。

※ 展品范圍

● 硅基功率器件(MOSFET/IGBT)等；

● 第三代半導(dǎo)體SiC/GaN器件；

● 外延片、襯底材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、硅(Si)、砷化鎵(GaAs)等；

● GaN功率芯片、二極管、三極管濾波元件等；

● 設(shè)計(jì)開發(fā)

● 生產(chǎn)設(shè)備

● 封裝測(cè)試

● 散熱管理

● 可靠性測(cè)試及認(rèn)證

● 信息服務(wù)

※ 同期展覽

亞洲國(guó)際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)

匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場(chǎng)，打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示與技術(shù)交流平臺(tái)

行業(yè)盛會(huì)APSME 2025亞洲國(guó)際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦；展會(huì)匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場(chǎng)，打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購(gòu)及技術(shù)交流平臺(tái)，集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、材料、封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品，致力于先進(jìn)半導(dǎo)體器件、封裝測(cè)試、工藝流程、創(chuàng)新應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)鏈間的合作，為上游及材料設(shè)備搭建交流協(xié)作的橋梁。展會(huì)期間還將舉辦一系列技術(shù)論壇，展示全球產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)及未來(lái)技術(shù)趨勢(shì)。

※ 同期論壇

展會(huì)同期舉辦各種主題的技術(shù)論壇，以配合各個(gè)展區(qū)展示產(chǎn)品。組委會(huì)將嚴(yán)格篩選演講嘉賓和演講主題，以技術(shù)為主，配合適量的品牌宣傳，以確保技術(shù)論壇介紹世界范圍內(nèi)先進(jìn)的、前沿的功率半導(dǎo)體技術(shù)，為廣大半導(dǎo)體行業(yè)人士奉送一場(chǎng)“美味佳肴”。

◆ 車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇

◆ 功率半導(dǎo)體IGBT/SiC產(chǎn)業(yè)論壇

◆ 化合物半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用發(fā)展論壇

◆ GaN氮化鎵|半導(dǎo)體功率器件技術(shù)論壇

◆ 功率mosfet-Si硅/SiC碳化硅|半導(dǎo)體功率器件技術(shù)論壇

◆ 碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展論壇

◆ 第三代半導(dǎo)體材料制造與裝備技術(shù)高峰論壇

◆ 功率半導(dǎo)體器件性能開發(fā)與測(cè)試技術(shù)論壇

※ 展會(huì)日程

布展時(shí)間：2025年11月18-19日

展出時(shí)間：2025年11月20-22日

撤展時(shí)間：2025年11月22日下午

歡迎業(yè)界同仁踴躍報(bào)名參展，現(xiàn)正接受申請(qǐng)，請(qǐng)速與我們聯(lián)系，索取參展合同及展位平面圖！充分利用APSME 2025，鞏固您的市場(chǎng)地位！